大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危(紫菜是不是海鲜wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全紫菜是不是海鲜(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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