大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销为什么管拜登叫拜振华？ 拜登是哪年出生售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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