大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi抓蚯蚓真的能赚钱吗)放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎ抓蚯蚓真的能赚钱吗i)维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎn抓蚯蚓真的能赚钱吗g)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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