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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶家雀是国家几级保护动物 大山雀是国家二级保护动物吗圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)家雀是国家几级保护动物 大山雀是国家二级保护动物吗储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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