大家好，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国东南亚有几个国家 东南亚是泰国吗(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(东南亚有几个国家 东南亚是泰国吗měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美东南亚有几个国家 东南亚是泰国吗光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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