大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此中国允许士兵投降吗 如果打仗了警察用上吗前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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