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岂汝先人志邪的翻译是什么,岂汝先人志邪的翻译英文 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

  据(jù)网信办消息,日(rì)前,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ),网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng),只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú),欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险,维(wéi)护(hù)国(guó)家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》,网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头,也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势岂汝先人志邪的翻译是什么,岂汝先人志邪的翻译英文,公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美光(guān岂汝先人志邪的翻译是什么,岂汝先人志邪的翻译英文g)在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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