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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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