大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(sh霍元甲的师傅是谁，李小龙的师父是谁啊āng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，霍元甲的师傅是谁，李小龙的师父是谁啊催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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