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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)文章千古事得失寸心知是谁的诗句名句，文章千古事 得失寸心知是谁的名句存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比(文章千古事得失寸心知是谁的诗句名句，文章千古事 得失寸心知是谁的名句bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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