大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救g>

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。