大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查>存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。