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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(ch曹冲称象的故事说明了什么科学道理，曹冲称象这个故事告诉我们什么道理ǎn)品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(g曹冲称象的故事说明了什么科学道理，曹冲称象这个故事告诉我们什么道理uāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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