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高宽深用什么字母表示什么,高宽深用什么字母表示出来 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突(tū)发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

  据(jù)网信办消息(xī),日前,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审(shěn)查发现,美光公司产品存(cún)在(zài)较严重高宽深用什么字母表示什么,高宽深用什么字母表示出来网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规,我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求,欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国(guó)出(chū)手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文(wén)称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)!

  美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头,也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一,2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng),至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光位(高宽深用什么字母表示什么,高宽深用什么字母表示出来wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第(高宽深用什么字母表示什么,高宽深用什么字母表示出来dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析,如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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