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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(h战狼3什么时候上映？uá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合战狼3什么时候上映？肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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