大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信c上标3下标5怎么算公式，c上标2下标5怎么算办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)c上标3下标5怎么算公式，c上标2下标5怎么算科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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