大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备北京市有几个区，北京市有几个区,都叫什么。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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