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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公定性变量与定量变量区别在哪，定性变量与定量变量区别(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储定性变量与定量变量区别在哪，定性变量与定量变量区别等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān定性变量与定量变量区别在哪，定性变量与定量变量区别)，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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