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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施河粉和米饭哪个热量高，吃河粉和米饭哪个更容易胖安全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定河粉和米饭哪个热量高，吃河粉和米饭哪个更容易胖(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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