大(dà)家(jiā)好，来看一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá敬备薄酌恭候光临是什么意思啊，敬备薄酌恭候光临的意思)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查敬备薄酌恭候光临是什么意思啊，敬备薄酌恭候光临的意思ng>

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。