大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外夂叫什么部首怎么读，夂叫什么部首拼音开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 202夂叫什么部首怎么读，夂叫什么部首拼音1年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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