大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yí饺子冻成一坨了怎么吃，饺子冻成一坨了怎么吃才好吃ng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从饺子冻成一坨了怎么吃，饺子冻成一坨了怎么吃才好吃(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外饺子冻成一坨了怎么吃，饺子冻成一坨了怎么吃才好吃NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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