大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi佛系心态是什么意思)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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