大家好，来看一则突发消息。

　　龙湖陈序平出生日期 龙湖是国企还是民营企业g>美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光龙湖陈序平出生日期 龙湖是国企还是民营企业、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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