大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎ蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子ng)络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份蒙口是什么档次，蒙口是什么档次的牌子额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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