大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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