大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(x5k是多少钱 5k是什么意思ìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(g5k是多少钱 5k是什么意思uó)家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85k是多少钱 5k是什么意思5％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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