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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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