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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(四大灵猴的兵器叫什么名字zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购四大灵猴的兵器叫什么名字约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报四大灵猴的兵器叫什么名字(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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