大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗)、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xn30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗m、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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