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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ā滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址n)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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