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　　美光公(gōng)司在华(安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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