大(dà)家好，来(lái)看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(湖南电大几本，湖南长沙电大是几本yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīn湖南电大几本，湖南长沙电大是几本g)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名(míng)湖南电大几本，湖南长沙电大是几本单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 湖南电大几本，湖南长沙电大是几本