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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储0031是哪个国家的区号啊，00371是哪个国家的区号等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步0031是哪个国家的区号啊，00371是哪个国家的区号骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽0031是哪个国家的区号啊，00371是哪个国家的区号(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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