大家好，来看(kàn)一(yī)则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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