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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对(duì翡翠手镯用紫光照为什么会有荧光，翡翠镯子太阳光下有紫色荧光)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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