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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗>

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗ng>国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相同位角的定义和性质和概念，同位角一定相等吗关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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