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发胶必须当天洗吗,发胶怎么洗掉

发胶必须当天洗吗,发胶怎么洗掉 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn),对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予发胶必须当天洗吗,发胶怎么洗掉(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī),我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查(chá),目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán),是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放,只要遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国企业(yè)、发胶必须当天洗吗,发胶怎么洗掉各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全,防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约(yuē)为 96.76%,发胶必须当天洗吗,发胶怎么洗掉三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē),确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng),巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo),催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄(báo)膜沉(chén)积)等相关公司(sī)份额提(tí)升,以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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