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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhō古代陇西成纪是现在的哪里，陇西成纪怎么读ng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转古代陇西成纪是现在的哪里，陇西成纪怎么读变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子古代陇西成纪是现在的哪里，陇西成纪怎么读披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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