大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、S引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写olidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演引号怎么写标点符号，稿纸双引号怎么写进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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