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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)左眉毛有一根特别长是什么意思？lor: #ff0000; line-height: 24px;'>左眉毛有一根特别长是什么意思？侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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