大家(jiā)好，来看一则突发消息标准大气压和常温常压，常温下的标准大气压。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务标准大气压和常温常压，常温下的标准大气压占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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