大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限(x卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校iàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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