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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(c3502身份证号码开头是哪的，身份证号3502开头的是哪里人há)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措3502身份证号码开头是哪的，身份证号3502开头的是哪里人施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等(děng)主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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