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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐ一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币n)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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