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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应迪丽热巴男朋友，迪丽热巴全名链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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