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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，把酒言欢下一句是什么意思，把酒言欢下一句是什么问君能有几多愁网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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