大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患快递公司几点下班，派送员晚上多晚不送了(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络(l快递公司几点下班，派送员晚上多晚不送了uò)安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江快递公司几点下班，派送员晚上多晚不送了波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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