大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(j角鲨烷能天天用吗，为什么医生不建议用烟酰胺iāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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