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马云看未来商铺的前景

马云看未来商铺的前景 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息,日前,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险,影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

  此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá),目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全,是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放(fàng),只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险马云看未来商铺的前景,维护国(guó)家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(马云看未来商铺的前景ān)全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公司(sī)(Micron)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降,至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势,公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单,设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉(chén)积)等相关公司(sī)份额提升,以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗马云看未来商铺的前景)等(děng)收入增长。

 

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